[发明专利]鳍式场效应晶体管器件和方法有效
| 申请号： | 201711130153.8 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109427889B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张铭庆;杨宝如;林毓超 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括去除第一鳍上方的伪栅极结构的第一部分，同时保留第二鳍上方的伪栅极结构的第二部分，其中，去除第一部分形成暴露第一鳍的第一凹槽；在第一凹槽中和第一鳍上方形成第一栅极介电材料；以及去除第二鳍上方的伪栅极结构的第二部分，其中，去除第二部分形成暴露第二鳍的第二凹槽。该方法还包括在第二凹槽中和第二鳍上方形成第二栅极介电材料，第二栅极介电材料接触第一栅极介电材料；以及用导电材料填充第一凹槽和第二凹槽。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：去除第一鳍上方的伪栅极结构的第一部分，同时保留第二鳍上方的所述伪栅极结构的第二部分，其中，去除所述第一部分形成暴露所述第一鳍的第一凹槽；在所述第一凹槽中和所述第一鳍上方形成第一栅极介电材料；去除所述第二鳍上方的所述伪栅极结构的所述第二部分，其中，去除所述第二部分形成暴露所述第二鳍的第二凹槽；在所述第二凹槽中和所述第二鳍上方形成第二栅极介电材料，所述第二栅极介电材料接触所述第一栅极介电材料；以及用导电材料填充所述第一凹槽和所述第二凹槽。
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