[发明专利]鳍式场效应晶体管器件和方法

权利要求书

1.一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：

去除第一鳍上方的伪栅极结构的第一部分，同时保留第二鳍上方的所述伪栅极结构的第二部分，其中，去除所述第一部分形成暴露所述第一鳍的第一凹槽；

在所述第一凹槽的侧壁和底部上以及所述第一鳍上方形成第一栅极介电材料；

去除所述第二鳍上方的所述伪栅极结构的所述第二部分，其中，去除所述第二部分形成暴露所述第二鳍的第二凹槽；

在所述第二凹槽的侧壁和底部上以及所述第二鳍上方形成第二栅极介电材料，所述第二栅极介电材料接触所述第一栅极介电材料；以及

用导电材料填充所述第一凹槽和所述第二凹槽以分别形成第一栅电极和第二栅电极，其中，所述第一栅极介电材料在所述第一凹槽的侧壁上的部分和所述第二栅极介电材料在所述第二凹槽的侧壁上的部分形成绝缘区，并且所述绝缘区将所述第一栅电极和所述第二栅电极分隔开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二凹槽暴露所述第一栅极介电材料的至少部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第二栅极介电材料包括在所述第二凹槽中共形地形成所述第二栅极介电材料，其中，所述第二栅极介电材料接触由所述第二凹槽暴露的所述第一栅极介电材料的部分并且沿着由所述第二凹槽暴露的所述第一栅极介电材料的部分延伸。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述伪栅极结构的所述第一部分包括各向异性蚀刻工艺，其中，去除所述伪栅极结构的所述第二部分包括各项同性蚀刻工艺。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在第一蚀刻步骤和之后的第二蚀刻步骤中实施所述各向异性蚀刻工艺，其中，所述第一蚀刻步骤使用与所述第二蚀刻步骤不同的蚀刻剂。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述第一栅极介电材料之后并且在去除所述伪栅极结构的所述第二部分之前，用第一牺牲材料填充所述第一凹槽。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一牺牲材料包括金属。

8.根据权利要求6所述的方法，还包括在形成所述第二栅极介电材料之后并且在用导电材料填充所述第一凹槽和所述第二凹槽之前，用第二牺牲材料填充所述第二凹槽。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一牺牲材料是与所述第二牺牲材料相同的材料。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：在用所述导电材料填充所述第一凹槽和所述第二凹槽之前，分别从所述第一凹槽和所述第二凹槽去除所述第一牺牲材料和所述第二牺牲材料。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：在去除所述第一牺牲材料和所述第二牺牲材料之前，实施平坦化工艺以去除所述第一牺牲材料的顶部和所述第二牺牲材料的顶部。