[发明专利]一种去除通孔钨塞脱落缺陷的方法在审
| 申请号： | 201711127736.5 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107768237A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 徐杰;李志国;袁力 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种去除通孔钨塞脱落缺陷的方法，包括执行步骤S1提供硅基衬底，并在硅基衬底上之层间介质层内设置通孔；执行步骤S2在所述通孔内沉积通孔钨塞；执行步骤S3对设置通孔钨塞的晶圆进行旋转法湿式清洗。本发明通过对设置通孔钨塞的晶圆进行旋转法湿式清洗，不仅可以有效的避免通孔钨塞脱落缺陷，而且工艺简单，操作方便，具有成本低等优点，值得业界推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 通孔钨塞 脱落 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种去除通孔钨塞脱落缺陷的方法，其特征在于，所述去除通孔钨塞脱落缺陷的方法，包括：执行步骤S1：提供硅基衬底，并在硅基衬底上之层间介质层内设置通孔；执行步骤S2：在所述通孔内沉积通孔钨塞；执行步骤S3：对设置通孔钨塞的晶圆进行旋转法湿式清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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