[发明专利]一种去除通孔钨塞脱落缺陷的方法在审
| 申请号： | 201711127736.5 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107768237A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 徐杰;李志国;袁力 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 通孔钨塞 脱落 缺陷 方法 | ||
1.一种去除通孔钨塞脱落缺陷的方法，其特征在于，所述去除通孔钨塞脱落缺陷的方法，包括：
执行步骤S1：提供硅基衬底，并在硅基衬底上之层间介质层内设置通孔；
执行步骤S2：在所述通孔内沉积通孔钨塞；
执行步骤S3：对设置通孔钨塞的晶圆进行旋转法湿式清洗。
2.如权利要求1所述去除通孔钨塞脱落缺陷的方法，其特征在于，用于所述旋转法湿式清洗的旋转法湿式清洗装置为湿法机台上增设旋转工作面。
3.如权利要求1所述去除通孔钨塞脱落缺陷的方法，其特征在于，用于所述旋转法湿式清洗的旋转法湿式清洗装置为增设独立的旋转法湿法机台。
4.如权利要求1～3任一权利要求所述去除通孔钨塞脱落缺陷的方法，其特征在于，所述旋转法湿式清洗装置的最低旋转速度为其旋转所产生的离心力至少保证通孔钨塞脱离晶圆表面。
5.如权利要求1～3任一权利要求所述去除通孔钨塞脱落缺陷的方法，其特征在于，所述硅基衬底为具有底层器件结构的硅片。
6.如权利要求1～3任一权利要求所述去除通孔钨塞脱落缺陷的方法，其特征在于，所述层间介质层为磷硅玻璃层、正硅酸四乙酯层。
7.如权利要求1～3任一权利要求所述去除通孔钨塞脱落缺陷的方法，其特征在于，在所述通孔内沉积通孔钨塞前，在所述通孔内先于所述通孔钨塞沉积黏合层。
8.如权利要求1～3任一权利要求所述去除通孔钨塞脱落缺陷的方法，其特征在于，所述黏合层为钛或氮化钛层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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