[发明专利]边缘耦合的半导体光电探测器有效
| 申请号： | 201711125727.2 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108254070B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王志鸿;P·劳;D·库马尔 | 申请（专利权）人： | 环球通信半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;G01J1/44;H04B10/25 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李晓芳 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及边缘耦合的半导体光电探测器。公开了一种用于监测来自激光二极管的功率的器件。该器件包括具有顶表面和与顶表面垂直的第一面的基板，其中，光通过第一面进入基板。该器件还包括第二面，沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入基板的光入射到第二面上。该器件还包括制造在基板的顶表面上的光电二极管，光电二极管用于测量沿与第一面非正交的光轴进入基板的第一面的光的强度。沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入基板的光被第二面朝光电二极管的光活性区域反射。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 耦合 半导体 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：基板，所述基板具有：顶表面；垂直于所述顶表面的第一面，光通过第一面进入所述基板；以及第二面，沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入所述基板的光入射到第二面上；以及被制造在所述基板的所述顶表面上的光电二极管，所述光电二极管用于测量沿与第一面非正交的光轴进入所述基板的第一面的光的强度；其中，第二面朝着所述光电二极管的光活性区域反射沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入所述基板的光。
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