[发明专利]边缘耦合的半导体光电探测器有效

专利信息
申请号: 201711125727.2 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN108254070B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 王志鸿;P·劳;D·库马尔 申请(专利权)人: 环球通信半导体有限责任公司
主分类号: G01J1/42 分类号: G01J1/42;G01J1/44;H04B10/25
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 李晓芳
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 边缘 耦合 半导体 光电 探测器
【权利要求书】:

1.一种光学器件,包括:

基板,所述基板具有:

顶表面;

垂直于所述顶表面的第一面,光通过第一面进入所述基板;以及

第二面,具有与所述器件的光轴对准的主传播方向的通过第一面进入所述基板的光入射到第二面上,其中所述器件的光轴与第一面非正交并且平行于顶表面;以及

被制造在所述基板的所述顶表面上的光电二极管,所述光电二极管用于测量具有与所述器件的光轴对准的主传播方向的进入所述基板的第一面的光的强度;

其中,第二面朝着所述光电二极管的光活性区域反射具有与和第一面非正交的光轴对准的主传播方向的通过第一面进入所述基板的光。

2.根据权利要求1所述的光学器件,其中,第一面是所述基板的侧表面。

3.根据权利要求2所述的光学器件,其中,第一面是所述基板的解理面。

4.根据权利要求3所述的光学器件,其中,第二面是被蚀刻到所述基板中的面。

5.根据权利要求1-4中的任何一项所述的光学器件,其中,所述器件的光轴在第一面的法向的5度和30度之间。

6.根据权利要求1-4中的任何一项所述的光学器件,其中,所述光轴偏离第一面的法向至少7度。

7.根据权利要求1-4中的任何一项所述的光学器件,其中,在工作条件下,与所述光轴对准的通过第一面进入所述基板的光受到第二面的全内反射。

8.一种光学组件,包括:

具有安装表面的子安装件;

安装在所述子安装件的安装表面上的激光二极管,所述激光二极管具有背面,所述背面发射具有沿第一方向的主传播方向的光;

安装在所述子安装件的安装表面上的光电二极管芯片,所述光电二极管芯片包括:

基板,所述基板具有:

顶表面;

垂直于所述顶表面的第一面,从所述激光二极管的背面发射的光通过第一面入射,其中,所述光电二极管芯片相对于所述激光二极管的背面旋转,以使得来自所述激光二极管的背面的具有沿第一方向的主传播方向的发射的光以与所述光电二极管芯片的与第一面非正交并且平行于顶表面的光轴对准的主传播方向通过第一面进入所述基板;以及

第二面,与所述光电二极管芯片的所述光轴对准的通过第一面进入所述基板的光入射到第二面上;以及

被制造在所述基板的顶表面上的光电二极管,所述光电二极管用于测量与所述光电二极管芯片的所述光轴对准的通过第一面进入所述基板的光的强度;

其中,第二面朝着所述光电二极管的光活性区域反射具有与所述光电二极管芯片的所述光轴对准的主传播方向的通过第一面进入所述基板的光。

9.根据权利要求8所述的光学组件,其中,所述基板的底表面被安装到所述子安装件的安装表面。

10.根据权利要求8所述的光学组件,其中,所述光电二极管芯片基于来自所述激光二极管的背面的进入所述光电二极管芯片的所述基板的光的测量的强度来监测从所述激光二极管的正面发射的光的强度。

11.根据权利要求10所述的光学组件,还包括反馈电路,所述反馈电路用于基于来自所述激光二极管的背面的进入所述基板的光的测量的强度来使从所述激光二极管的正面发射的光的强度稳定。

12.根据权利要求8-11中的任何一项所述的光学组件,其中,第一面是所述基板的侧表面。

13.根据权利要求12所述的光学组件,其中,第一面是所述基板的解理面。

14.根据权利要求13所述的光学组件,其中,第二面是被蚀刻到所述基板中的面。

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