[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201711125725.3 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107785389A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 何延强;林宗德;杨龙康;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及图像传感器及其制造方法。其中一个实施例提供了一种制造图像传感器的方法，其包括从半导体衬底的正面，向半导体衬底中注入N型掺杂剂，从而在半导体衬底中形成光电二极管的N型区；从半导体衬底的背面，对半导体衬底进行减薄；从减薄后的半导体衬底的背面，向N型区的一部分中注入P型掺杂剂，从而形成光电二极管的P型区的至少一部分；以及对P型区的所述至少一部分进行激光退火，从而激活注入的P型掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，在半导体衬底中形成有光电二极管，其中光电二极管的N型区呈倒U形，光电二极管的P型区的至少一部分被倒U形的N型区包围，并且N型区比P型区的所述至少一部分更靠近半导体衬底的正面，其中P型区的所述至少一部分是通过从半导体衬底的背面注入并且激光退火激活P型掺杂剂而形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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