[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201711125725.3 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107785389A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 何延强;林宗德;杨龙康;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底，在半导体衬底中形成有光电二极管，其中光电二极管的N型区呈倒U形，光电二极管的P型区的至少一部分被倒U形的N型区包围，并且N型区比P型区的所述至少一部分更靠近半导体衬底的正面，
其中P型区的所述至少一部分是通过从半导体衬底的背面注入并且激光退火激活P型掺杂剂而形成的。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，半导体衬底的厚度小于或等于4微米。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，半导体衬底的厚度在2-3微米的范围内。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，N型区包括靠近半导体衬底的正面的第一N型区以及在第一N型区下的第二N型区。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，P型区的所述至少一部分的靠近半导体衬底正面的表面挨着第一N型区，而两个侧面挨着第二N型区。
6.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，P型区的所述至少一部分的靠近半导体衬底正面的表面和两个侧面均被第二N型区包围。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括在半导体衬底正面的与光电二极管对应的位置处的第二P型区，第二P型区为P+区且掺杂浓度高于光电二极管的P型区的掺杂浓度。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括在半导体衬底的正面上方形成的金属连线。
9.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，第一N型区的掺杂浓度高于第二N型区的掺杂浓度。
10.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，P型区的所述至少一部分中的P型掺杂剂为含硼化合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
