[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明涉及显示器制造领域，TFT基板的制作方法。通过分区曝光的工艺，在氧化物半导体层上先后对应栅极形成半导体区，对应源极、漏极和像素电极的区域形成导体区，其余部分去除后对应绝缘区的位置。相比于现有技术的制造方法，将需要四道光刻工序成型的TFT基板，压缩到三道光刻工序内成型，省去了一道光刻工序流程，简化工艺，提高了生产效率。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，所述TFT基板的制作方法包括：提供基板；在所述基板的一侧沉积氧化物半导体层；形成覆盖所述氧化物半导体层的光阻层；分区曝光将所述光阻层图案化，以露出所述氧化物半导体层相对的两部分；将所述氧化物半导体层相对的两部分进行导体化，其中一部分形成源极，另一部分形成漏极及与漏极电连接的像素电极；去除图案化后剩余的所述光阻层，被图案化后剩余的所述光阻层覆盖的所述氧化物半导体层形成沟道区。