[发明专利]TFT基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，所述TFT基板的制作方法包括：

提供基板；

在所述基板上沉积金属层；

图案化所述金属层，形成栅极、栅极线和源极线、漏极线；

沉积绝缘层；

对所述绝缘层进行图案化，定义两个连接孔，所述连接孔贯穿所述绝缘层，分别连通所述源极线和所述漏极线；

在所述绝缘层上沉积氧化物半导体层；

形成覆盖所述氧化物半导体层的光阻层；

分区曝光将所述光阻层图案化，以露出所述氧化物半导体层相对的两部分；

将所述氧化物半导体层相对的两部分进行导体化，其中一部分形成源极，另一部分形成漏极及与漏极电连接的像素电极，将所述源极连通所述源极线，所述漏极连通所述漏极线；

去除图案化后剩余的所述光阻层，被图案化后剩余的所述光阻层覆盖的所述氧化物半导体层对应所述栅极形成沟道区。

2.如权利要求1所述TFT基板的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体层沉积在所述基板上，在形成所述沟道区后，还包括以下步骤：

沉积绝缘层；

图案化所述绝缘层，以在所述绝缘层上形成两个连接孔，使其贯穿所述绝缘层以露出所述源极和所述漏极；

沉积金属层；

图案化所述金属层，以形成栅极、栅极线、源极线和漏极线，所述栅极和所述栅极线电连接，所述栅极对应所述沟道区设置，所述源极线通过所述连接孔连接所述源极，所述漏极线通过另一个所述连接孔连接所述漏极，所述源极线与所述栅极及所述栅极线间隔设置，所述漏极线与所述栅极及所述栅极线间隔设置。

3.如权利要求2所述TFT基板的制作方法，其特征在于，在所述基板上沉积所述氧化物半导体层之前，还包括以下步骤：

在所述基板上沉积一层缓冲层。

4.如权利要求1所述TFT基板的制作方法，其特征在于，在沉积所述氧化物半导体层时，用所述氧化物半导体层填充所述连接孔。

5.如权利要求1所述TFT基板的制作方法，其特征在于，沉积所述氧化物半导体层的动作通过物理气相沉积法实现。

6.如权利要求1所述TFT基板的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体层的材料为IGZO。

7.如权利要求1所述TFT基板的制作方法，其特征在于，分区曝光所述氧化物半导体层的动作采用半色调工艺实现。

8.如权利要求1所述TFT基板的制作方法，其特征在于，导体化所述氧化物半导体层的时采用氦气或氩气等离子体。

9.如权利要求1～8任意一项所述TFT基板的制作方法，其特征在于，在形成所述沟道区后再沉积一层保护层。