[发明专利]一种多晶硅回刻方法在审
| 申请号： | 201711120397.8 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107910260A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 丁佳;曹俊;蒋方圆;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)32283 | 代理人： | 周全,陶得天 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种多晶硅回刻方法，涉及晶片生产技术领域，尤其涉及一种多晶硅的回刻方法。提供了一种在回刻过程中速率均匀、多晶硅中间和边缘距离小、多晶残留少的多晶硅回刻方法。包括如下步骤1）在硅本体表面生长氧化层，在氧化层表面生长多晶硅层；2）多晶硅层表面生长自然氧化层；3）回刻自然氧化层，采用cf4回刻氧化层；4）回刻多晶硅层；5）回刻硅本体上沟槽内的多晶硅层，完毕。本发明保持了在整个回刻过程中的回刻速率相对均匀，避免在回刻时对硅本体的损伤，同时能够有效减少多晶硅的残留，产品废品率低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅回刻 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅回刻方法，包括如下步骤：1）在硅本体表面生长氧化层，在氧化层表面生长多晶硅层；2）多晶硅层表面生长自然氧化层；3）回刻自然氧化层，采用cf4回刻氧化层；4）回刻多晶硅层；5）回刻硅本体上沟槽内的多晶硅层，完毕；其特征在于，所述步骤4）中回刻多晶硅层的具体实现方法是：4.1）采用SF6、CF4和Ar的复配回刻多晶硅层；4.2）采用CL2和HBR的复配回刻多余的多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
