[发明专利]一种多晶硅回刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片生产技术领域，尤其涉及一种多晶硅的回刻方法。

背景技术

目前在多晶硅加工工艺中针对多晶硅的回刻工艺，一般采用同一组分的气体完成整个回刻过程，在回刻过程中出现中间回刻快两边回刻慢或者中间回刻慢两边回刻快的情形，也就是说在回刻过程中回刻速率均匀性差，这就会导致在多晶硅回刻过程中出现多晶硅中间的氧化层和边缘的氧化层之间的距离过大最终导致边缘或中间存在较多的多晶残留影响后续加工过程中金属填充有空洞，最终导致产品报废。例如国家知识产权局2012-5-23公开的一项发明专利申请（CN 102468128 A，深沟槽多晶硅形成方法）公开了一种深沟槽多晶硅形成方法，包括步骤：在形成深沟槽后，循环淀积多晶硅和离子注入形成多层多晶硅，直至多层多晶硅填满深沟槽；对多层多晶硅进行回刻，用以去除深沟槽外部区域的多晶硅。在多层多晶硅回刻工艺中采用多晶硅回刻和自然氧化层回刻循环重复回刻的方式，即当多晶硅回刻到含有自然氧化层的位 置时，插入一步自然氧化层回刻工艺。其主要步骤是循环生长氧化层再循环回刻，在实际回刻时仍然采用同一组分的气体回刻，也就是说在实际回刻过程中仍然会出现回刻不均匀的问题。

发明内容

本发明针对以上问题，提供了一种在回刻过程中速率均匀、多晶硅中间和边缘距离小、多晶残留少的多晶硅回刻方法。

本发明的技术方案是：一种多晶硅回刻方法，包括如下步骤：

1）在硅本体表面生长氧化层，在氧化层表面生长多晶硅层；

2）多晶硅层表面生长自然氧化层；

3）回刻自然氧化层，采用cf4回刻氧化层；

4）回刻多晶硅层；

5）回刻硅本体上沟槽内的多晶硅层，完毕。

所述步骤4）中回刻多晶硅层的具体实现方法是：

4.1）采用SF6、CF4和Ar的复配回刻多晶硅层；

4.2）采用CL2和HBR的复配回刻多余的多晶硅层；

所述步骤5）本体上沟槽内的多晶硅层的具体实现方法是：

采用CL2和HBR的复配回刻在沟槽内多晶硅层。

所述SF6、CF4和Ar的流量比是7：9:20。

所述Cl2和HBr的流量比是1:1。

采用终点检测的方法控制步骤4.1）的回刻结束的条件。

所述步骤4.1）回刻的时间为55s，步骤4.2）回刻的时间为50s。

所述步骤5的回刻的时间为90s。

本发明中采用SF6、CF4和Ar的复配回刻多晶硅层；SF6、CF4和AR的复配在多晶硅回刻时回刻的速率高，能够达到8000A/min，由于工艺限制，在整个多晶硅回刻过程中晶片中间回刻的速度要小于周边回刻的速度，也就是说在利用F6、CF4和AR的复配回刻的过程中多晶硅层会形成中间高两边低与步骤4.2）配合，保持了在整个回刻过程中的回刻速率相对均匀，避免在回刻时对硅本体的损伤，同时能够有效减少多晶硅的残留，产品废品率低。在复配的气体中添加Ar（氩气）使得SF6和CF4混合更加均匀流畅，提高加工效率同时能够使得气体流量计量更加准确。采用CL2和HBR的复配，其回刻的速率能达到3000A/min，比利用SF6、CF4和AR的复配的速率低，在回刻过程中会使得多晶硅层出现中间低两边高的情形，与步骤4.1）中利用F6、CF4和AR的复配回刻的过程中多晶硅层会形成中间高两边低互补，在整个回刻过程中维持多晶硅层的平整，也就是保持了在整个回刻过程中的回刻速率相对均匀，避免在回刻时对硅本体的损伤，同时能够有效减少多晶硅的残留，产品废品率低。

附图说明

图1是本发明工作状态示意图一，

图2是本发明工作状态示意图二，

图3是本发明工作状态示意图三；

图4是本发明工作状态示意图四。

具体实施方式

本发明如图所示，一种多晶硅回刻方法，包括如下步骤：

1）在硅本体表面生长氧化层，在氧化层表面生长多晶硅层；在晶片加工时由于晶片性能的需要需要在晶片表面进行氧化形成氧化层，再在晶片的沟槽内填充多晶硅形成阴极和阳极，由于工艺限制，在生长完成后需要回刻掉多余的多晶硅层和氧化层。

2）多晶硅层表面生长自然氧化层；由于空气的氧化作用会在多晶硅表面形成一层自然氧化层，再多晶硅回刻开始前需要对自然氧化层进行处理。

3）回刻自然氧化层，采用cf4回刻氧化层，；将自然氧化层回刻掉，为回刻做准备。