[发明专利]一种石斛种植方法在审

专利信息
申请号: 201711119706.X 申请日: 2017-11-14
公开(公告)号: CN107711465A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 蒋钦辉 申请(专利权)人: 蒋钦辉
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司11212 代理人: 杨立,周玉婷
地址: 541006 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种石斛种植方法,包括如下步骤(1)选择南方地区海拔500‑800m且透光率在65‑85%的山腰作为种植基地;(2)选择直径为15‑20cm,高度为10‑15cm的花盆作为盆栽容器,将花盆中填满培养基质;(3)将石斛苗按照每盆1‑3株幼苗的量进行栽培,栽培后定期施水,按照每盆100‑300mL的量进行喷施;(4)在种植期需定期围绕种植区域施撒一圈生石灰防止蜗牛爬入种植区域,并定期施加叶面肥;(5)定期进行采收,采收采用镰刀齐培养基质上方1‑3cm位置切割,切割后在石斛切割出施撒一层秸秆灰烬。本发明的有益效果在于方法简单,操作简便,后期田间管理程序简便,且产量简单。
搜索关键词: 一种 石斛 种植 方法
【主权项】:
一种石斛种植方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)选择南方地区海拔500‑800m且透光率在65‑85%的山腰作为种植基地;(2)选择直径为15‑20cm,高度为10‑15cm的花盆作为盆栽容器,将花盆中填满培养基质;(3)将石斛苗按照每盆1‑3株幼苗的量进行栽培,栽培后定期施水,按照每盆100‑300mL的量进行喷施;(4)在种植期需定期围绕种植区域施撒一圈生石灰防止蜗牛爬入种植区域,并定期施加叶面肥;(5)定期进行采收,采收采用镰刀齐培养基质上方1‑3cm位置切割,切割后在石斛切割出施撒一层秸秆灰烬。
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