[发明专利]一种石斛种植方法

权利要求书

1.一种石斛种植方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)选择南方地区海拔500-800m且透光率在65-85％的山腰作为种植基地；

(2)选择直径为15-20cm，高度为10-15cm的花盆作为盆栽容器，将花盆中填满培养基质；

(3)将石斛苗按照每盆1-3株幼苗的量进行栽培，栽培后定期施水，按照每盆100-300mL的量进行喷施；

(4)在种植期需定期围绕种植区域施撒一圈生石灰防止蜗牛爬入种植区域，并定期施加叶面肥；

(5)定期进行采收，采收采用镰刀齐培养基质上方1-3cm位置切割，切割后在石斛切割出施撒一层秸秆灰烬。

2.根据权利要求1所述的石斛种植方法，其特征在于，所述培养基质包括三层，由下而上依次为有机腐殖层、有机腐殖层与碎石混合层和鹅卵石层。

3.根据权利要求2所述的石斛种植方法，其特征在于，所述有机腐殖层由干牛粪、干苔藓和豆粕按照干重计以1:1-3:5-6的比例混合制成。

4.根据权利要求3所述的石斛种植方法，其特征在于，所述有机腐殖层由干牛粪、干苔藓和豆粕按照干重计以1:2:4的比例混合制成。

5.根据权利要求3或4所述的石斛种植方法，其特征在于，所述有机腐殖层与碎石混合层由有机腐殖层和碎石按干重的比例以1:1-2的比例混合制成。

6.根据权利要求5所述的石斛种植方法，其特征在于，所述叶面肥为氮、磷、钾为主其比例为4∶1∶1，微肥为辅。