[发明专利]一种改善化学气相沉积腔室中加热器加热性能的方法及装置有效

专利信息
申请号: 201711116531.7 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN109778139B 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 徐晓伟;何朋;杨益;张冠群;林明贤 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/46;C23C16/455
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 100176 北京市大兴区大*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种改善化学气相沉积腔室中加热器加热性能的方法及装置,包括:设置所述加热器至一定温度,往所述腔室中通入Ti[N(CH3)2]4作为反应气体,同时通入含N和H元素的气体,将所述含N和H元素的气体处理为等离子体,利用所述等离子体轰击所述反应气体并与所述反应气体发生反应,从而在所述加热器表面形成具有平整表面的TiN薄膜,通过所述TiN薄膜改善所述加热器加热性能。本发明的方法可以很好的补偿由于加热器的温度不均匀和表面形貌不佳而导致所生长薄膜厚度的非均一性和表面平整度,从而延长加热器的循环使用寿命。
搜索关键词: 一种 改善 化学 沉积 腔室中 加热器 加热 性能 方法 装置
【主权项】:
1.一种TiN薄膜的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:提供一基材,将所述基材加热至一定温度;通入Ti[N(CH3)2]4作为反应气体,同时通入含N和H元素的气体,将所述含N和H元素的气体处理为等离子体,利用所述等离子体轰击所述反应气体并与所述反应气体发生反应,从而在所述基材表面形成具有平整表面的TiN薄膜。
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