[发明专利]一种改善化学气相沉积腔室中加热器加热性能的方法及装置

权利要求书

1.一种TiN薄膜的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基材，将所述基材加热至一定温度，所述基材的温度为100℃~300℃；

通入Ti[N(CH₃)₂]₄作为反应气体，同时通入含N和H元素的气体，将所述含N和H元素的气体处理为等离子体，利用所述等离子体轰击所述反应气体并与所述反应气体发生反应，从而在所述基材表面形成具有平整表面的TiN薄膜；所述等离子体还用于清除所述Ti[N(CH₃)₂]₄反应产生的碳氢基团，其中，所述等离子体包括N离子及H离子，H离子与所述碳氢基团的碳基结合，N离子与所述碳氢基团的氢基结合。

2.根据权利要求1所述的TiN薄膜的制作方法，其特征在于，所述含N和H元素的气体为H₂和N₂的混合气体或者NH₃。

3.一种改善化学气相沉积腔室中加热器加热性能的方法，其特征在于，所述方法至少包括：

设置所述加热器至一定温度，往所述腔室中通入Ti[N(CH₃)₂]₄作为反应气体，同时通入含N和H元素的气体，将所述含N和H元素的气体处理为等离子体，利用所述等离子体轰击所述反应气体并与所述反应气体发生反应，从而在所述加热器表面形成具有平整表面的TiN薄膜，通过所述TiN薄膜改善所述加热器加热性能；其中，设置所述加热器温度范围为100℃~300℃。

4.根据权利要求3所述的改善化学气相沉积腔室中加热器加热性能的方法，其特征在于：设置所述加热器温度范围为150℃~250℃。

5.根据权利要求3所述的改善化学气相沉积腔室中加热器加热性能的方法，其特征在于：所述含N和H元素的气体为H₂和N₂的混合气体或者NH₃。

6.根据权利要求3所述的改善化学气相沉积腔室中加热器加热性能的方法，其特征在于：所述反应气体与所述含N和H元素的气体的流量比范围为1:2~1:1。

7.根据权利要求3所述的改善化学气相沉积腔室中加热器加热性能的方法，其特征在于：利用射频电源将所述含N和H元素的气体处理为等离子体，利用所述等离子体轰击所述反应气体并与所述反应气体发生反应。

8.根据权利要求7所述的改善化学气相沉积腔室中加热器加热性能的方法，其特征在于：利用磁场进一步提高所述等离子体轰击所述反应气体的概率。

9.根据权利要求3所述的改善化学气相沉积腔室中加热器加热性能的方法，其特征在于：所述加热器表面形成的TiN薄膜厚度范围为100~200μm。

10.一种实现如权利要求3~9任一项所述方法的装置，其特征在于，所述装置至少包括：

腔室；

加热器，设置于所述腔室内；

喷淋部件，位于所述腔室的顶部，所述喷淋部件与Ti[N(CH₃)₂]₄反应气体进气管以及含N和H元素的气体进气管相连；

射频电源，与所述喷淋部件相连，用于将含N和H元素的气体处理为等离子体，利用所述等离子体轰击所述反应气体并与所述反应气体发生反应，从而在所述加热器表面形成具有平整表面的TiN薄膜，通过所述TiN薄膜改善所述加热器加热性能。

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于：所述装置还包括磁场线圈，所述磁场线圈环绕所述腔室，用于进一步提高所述等离子体轰击所述反应气体的概率。