[发明专利]一种温度补偿衰减器的制备方法有效
| 申请号： | 201711110310.9 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107706495B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 廖进福;沓世我;付振晓;杨曌;罗俊尧;李保昌 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00;H01P1/22;H01P1/30 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 周全英;郝传鑫 |
| 地址： | 526000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种温度补偿衰减器的制备方法，该方法包括以下步骤：采用薄膜工艺在基片上沉积PTC热敏电阻，对PTC热敏电阻进行图形化，保留设计所需部分；采用薄膜工艺在基片上沉积NTC热敏电阻，对NTC热敏电阻进行图形化，保留设计所需部分；分别或同时对图形化后的PTC热敏电阻和NTC热敏电阻进行热处理；采用薄膜工艺在基片上沉积金属电极，对金属电极进行图形化，得到温度补偿衰减器。本发明采用了薄膜工艺，其具有更高的精度及可控性，制得的薄膜温度补偿衰减器具有更低的噪声、更优异的射频性能及性能的一致性和重复性；同时利于小型化、薄型化和集成化，对温度变化具有更高的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 补偿 衰减器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种温度补偿衰减器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1a)采用薄膜工艺在基片上沉积PTC热敏电阻，对PTC热敏电阻进行图形化，保留设计所需部分，并对PTC热敏电阻进行热处理；(2a)采用薄膜工艺在基片上沉积NTC热敏电阻，对NTC热敏电阻进行图形化，保留设计所需部分，并对NTC热敏电阻进行热处理；(3a)采用薄膜工艺在基片上沉积金属电极，对金属电极进行图形化，得到温度补偿衰减器；或者(1b)采用薄膜工艺在基片上沉积PTC热敏电阻，对PTC热敏电阻进行图形化，保留设计所需部分；(2b)采用薄膜工艺在基片上沉积NTC热敏电阻，对NTC热敏电阻进行图形化，保留设计所需部分；(3b)同时对图形化后的PTC热敏电阻和NTC热敏电阻进行热处理；(4b)采用薄膜工艺在基片上沉积金属电极，对金属电极进行图形化，得到温度补偿衰减器。
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