[发明专利]一种温度补偿衰减器的制备方法

权利要求书

1.一种温度补偿衰减器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1a）采用薄膜工艺在基片上沉积PTC热敏电阻，对PTC热敏电阻进行图形化，保留设计所需部分，并对PTC热敏电阻进行热处理；

（2a）采用薄膜工艺在基片上沉积至少一层NTC热敏电阻和至少一层导电层，NTC热敏电阻与导电层交替堆叠，且与基片接触的是导电层；对NTC热敏电阻和导电层进行图形化，保留设计所需部分，并对NTC热敏电阻和导电层进行热处理；

（3a）采用薄膜工艺在基片上沉积金属电极，对金属电极进行图形化，得到温度补偿衰减器；或者

（1b）采用薄膜工艺在基片上沉积PTC热敏电阻，对PTC热敏电阻进行图形化，保留设计所需部分；

（2b）采用薄膜工艺在基片上沉积至少一层NTC热敏电阻和至少一层导电层，NTC热敏电阻与导电层交替堆叠，且与基片接触的是导电层；对NTC热敏电阻和导电层进行图形化，保留设计所需部分；

（3b）同时对图形化后的PTC热敏电阻、NTC热敏电阻和导电层进行热处理；

（4b）采用薄膜工艺在基片上沉积金属电极，对金属电极进行图形化，得到温度补偿衰减器；

所述NTC热敏电阻与导电层构成的叠层结构、所述PTC热敏电阻以及所述金属电极构成T型、Π型、桥接T型、平衡T型或平衡Π型的电阻网络结构。

2.如权利要求1所述的温度补偿衰减器的制备方法，其特征在于：所述步骤（1a）和（2a）之间或者所述步骤（1b）和（2b）之间还包括以下步骤：在基片上沉积粘附层，粘附层位于最底层的导电层的下方。

3.如权利要求1所述的温度补偿衰减器的制备方法，其特征在于：所述导电层的材料为金属导体，所述导电层的电阻率与所述NTC热敏电阻的电阻率的比值小于10^-6；或所述导电层的材料为氧化物，所述导电层的电阻率与所述NTC热敏电阻的电阻率的比值在3×10^-5~7×10^-4之间。

4.如权利要求3所述的温度补偿衰减器的制备方法，其特征在于：所述金属导体为Pt、Au或Pd；所述NTC热敏电阻的材料是电阻率为1~100Ω·cm、热敏常数为10³K数量级的Mn-Co-Cu-O体系；所述氧化物为SnO₂、掺锑SnO₂、ITO、RuO₂、RhO₂、ReO₂、ReO₃、IrO₂、MRuO₃、LaMnO3、LaCoO₃、LaNiO₃、LaCrO₃、CaVO₃、SrVO₃、SrMoO₃；MRuO₃中M为Sr、Pb、Bi、Ca或Ba。

5.如权利要求1所述的温度补偿衰减器的制备方法，其特征在于：所述PTC热敏电阻的材料为RuO₂、MRuO₃、RhO₂、ReO₂、ReO₃、IrO₂或它们的掺杂物。

6.如权利要求1所述的温度补偿衰减器的制备方法，其特征在于：所述NTC热敏电阻的材料为掺杂铜和/或钌元素的锰系尖晶石材料，或者是在电阻率为10^-5~10^-2 Ω·cm的导电氧化物中进行掺杂所得的TCR为负值的材料。

7.如权利要求6所述的温度补偿衰减器的制备方法，其特征在于：所述锰系尖晶石材料为Mn-Co-O或Mn-Ni-O。

8.如权利要求1所述的温度补偿衰减器的制备方法，其特征在于：还包括以下步骤：在热处理后的PTC热敏电阻和NTC热敏电阻上采用薄膜或者厚膜的工艺覆盖绝缘介质作为保护层。

9.如权利要求1或8所述的温度补偿衰减器的制备方法，其特征在于：还包括以下步骤：对金属电极进行表面处理。