[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及液晶显示装置在审
| 申请号： | 201711103257.X | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107819039A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 吴伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及液晶显示装置。薄膜晶体管包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极及漏极，基板包括相对设置的第一表面和第二表面，栅极包括相对设置的第一端面和第二端面，栅极设置在所述第一表面，且第一端面及第二端面均与第一表面相交，栅极绝缘层覆盖栅极，有源层设置在栅极绝缘层远离栅极的表面，有源层包括相对设置的第一侧面和第二侧面，源极邻近所述第一侧面设置，且通过第一侧面与有源层电连接，源极与第一端面之间存在第一间隙或者共面，漏极邻近第二侧面设置，且通过第二侧面与有源层电连接，漏极与第二端面之间存在第二间隙或者共面。本发明的薄膜晶体管有利于减小寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极及漏极，所述基板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述栅极包括相对设置的第一端面和第二端面，所述栅极设置在所述第一表面，且所述第一端面及所述第二端面均与所述第一表面相交，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极，所述有源层设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极的表面，所述有源层包括相对设置的第一侧面和第二侧面，所述源极邻近所述第一侧面设置，且通过所述第一侧面与所述有源层电连接，所述源极与所述第一端面之间存在第一间隙或者共面，所述漏极邻近所述第二侧面设置，且通过所述第二侧面与所述有源层电连接，所述漏极与所述第二端面之间存在第二间隙或者共面，其中，所述有源层为金属氧化物半导体层。
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