[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管制造方法，尤其涉及一种薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置，由于具有功耗低，体积小，辐射弱的优点，而得到广泛应用。液晶显示装置通常包括阵列基板、彩膜基板及液晶层。阵列基板与彩膜基板相对且间隔设置以形成收容空间，液晶层设置在阵列基板与彩膜基板之间的形成的收容空间内。阵列基板通常包括矩阵设置的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括栅极、源极以及漏极。在传统的薄膜晶体管中，栅极和源极以及栅极和漏极之间通常存在重叠，从而使得栅极和源极之间，以及栅极和漏极之间引入了寄生电容，寄生电容会导致薄膜晶体管的性能恶化，且随着显示面板向更大尺寸、高分辨率及高频率发展，这一寄生电容产生的影响越来越大。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极及漏极，所述基板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述栅极包括相对设置的第一端面和第二端面，所述栅极设置在所述第一表面，且所述第一端面及所述第二端面均与所述第一表面相交，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极，所述有源层设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极的表面，所述有源层包括相对设置的第一侧面和第二侧面，所述源极邻近所述第一侧面设置，且通过所述第一侧面与所述有源层电连接，所述源极与所述第一端面之间存在第一间隙或者共面，所述漏极邻近所述第二侧面设置，且通过所述第二侧面与所述有源层电连接，所述漏极与所述第二端面之间存在第二间隙或者共面，其中，所述有源层为金属氧化物半导体层。

相较于现有技术，本发明的薄膜晶体管将所述源极与所述栅极的所述第一端面之间留有第一间隙或者设置为共面，将所述漏极与所述栅极的第二端面之间留有第二间隙或者设置为共面，这样的结构设置使得栅极和源极、栅极和漏极之间没有重叠量，因此本技术方案有利于减小寄生电容。

本发明还提供一种薄膜晶体管制造方法。所述薄膜晶体管制造方法包括：

提供基板，所述基板包括相对设置的第一表面和第二表面；

在所述第一表面形成栅极，所述栅极包括相对设置的第一端面和第二端面，所述第一端面及所述第二端面均与所述第一表面相交；

形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层的表面形成有源层，所述有源层包括相对设置的第一侧面和第二侧面，其中，所述有源层为金属氧化物半导体层；

形成源极及漏极，所述源极邻近所述第一侧面设置，且通过所述第一侧面与所述有源层电连接，所述源极与所述第一侧面之间存在第一间隙或者共面，所述漏极邻近所述第二侧面设置，且通过所述第二侧面与所述有源层电连接，所述漏极与所述第一侧面之间存在第二间隙或者共面。

本发明还提供一种液晶显示装置。所述液晶显示装置包括如上所述的薄膜晶体管。

附图说明

为了更清楚地阐述本发明的构造特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例一提供的薄膜晶体管的结构示意图。

图2是本发明实施例二提供的薄膜晶体管的结构示意图。

图3是本发明一较佳实施例提供的薄膜晶体管制造方法的部分流程图。

图4～8是本发明一较佳实施例提供的薄膜晶体管制造方法的部分结构示意图。

图9是本发明一较佳实施例提供的薄膜晶体管制造方法的部分流程图。

图10～11是本发明一较佳实施例提供的薄膜晶体管制造方法的部分结构示意图。

图12是本发明一较佳实施例提供的薄膜晶体管制造方法的部分流程图。

图13是本发明一较佳实施例提供的薄膜晶体管制造方法的部分结构示意图。

图14是本发明一较佳实施例提供的薄膜晶体管制造方法的部分流程图。

图15～16是本发明一较佳实施例提供的薄膜晶体管制造方法的部分结构示意图。

图17是本发明另一较佳实施例提供的薄膜晶体管制造方法的部分流程图。

图18是本发明另一较佳实施例提供的薄膜晶体管制造方法的部分结构示意图。

图19是本发明实施例提供的液晶显示装置的结构示意图。

具体实施例