[发明专利]一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201711097717.2 申请日: 2017-11-07
公开(公告)号: CN107731882A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 徐洪远 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 代理人: 袁江龙
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置,其中,有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法包括提供基板;在所述基板上依次沉积第一金属层、透明电极层以及光阻层;利用第一半透光罩进行图案化处理,以形成数据线、源极、漏极以及像素电极,其中所述源极和所述漏极之间形成有沟道区;依次沉积半导体层、绝缘层以及第二金属层;利用第二光罩进行图案化处理,以在所述沟道区上形成半导体层、栅极绝缘层、栅极,所述栅极连接有扫描线;沉积钝化层;利用第三光罩进行图案化处理,以裸露所述像素电极;在所述像素电极上形成OLED材料。通过上述方式,能够有效减少光罩制程,降低成本。
搜索关键词: 一种 有机 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 显示装置
【主权项】:
一种有机薄膜晶体管阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:提供基板;在所述基板上依次沉积第一金属层、透明电极层以及光阻层;利用第一半透光罩进行图案化处理,以形成数据线、源极、漏极以及像素电极,其中所述源极和所述漏极之间形成有沟道区;依次沉积半导体层、绝缘层以及第二金属层;利用第二光罩进行图案化处理,以在所述沟道区上形成有源层、栅极绝缘层、栅极,所述栅极连接有扫描线;沉积钝化层;利用第三光罩进行图案化处理,以裸露所述像素电极。
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