[发明专利]一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上依次沉积第一金属层、透明电极层以及光阻层；

利用第一半透光罩进行图案化处理，以形成数据线、源极、漏极以及像素电极，其中所述源极和所述漏极之间形成有沟道区；

依次沉积半导体层、绝缘层以及第二金属层；

利用第二光罩进行图案化处理，以在所述沟道区上形成有源层、栅极绝缘层、栅极，所述栅极连接有扫描线；

沉积钝化层；

利用第三光罩进行图案化处理，以裸露所述像素电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述利用第一半透光罩进行图案化处理的步骤中，所述第一半透光罩包括阻光区、半透光区、透光区，所述图案化处理包括：

利用第一半透光罩进行曝光、显影，以使得所述光阻层对应所述阻光区、半透光区、透光区分别形成第一厚度区、第二厚度区、空区；

蚀刻以去除所述空区下方对应的所述第一金属层和所述透明电极层；

进行灰化处理，以使所述第一厚度区的光阻和所述第二厚度区的光阻的厚度同步降低直至所述第二厚度区的光阻被去除；

蚀刻所述第二厚度区下方对应的所述透明电极层以裸露所述第一金属层进而成形成间隔设置的所述源极和所述漏极，其中所述沟道区包括所述源极和所述漏极之间的第一沟道区及所述源极和所述漏极上方的透明电极层之间的第二沟道区；

剥离所述第一厚度区的光阻。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述利用第二光罩进行图案化处理的步骤中，所述第二光罩包括透光区和阻光区，所述阻光区与所述沟道区相对应，所述有源层包括填入所述第一沟道区的第一有源层和填入所述第二沟道区的第二有源层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层为银金属层，所述透明电极层为铟锡氧化物ITO层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在暴露出的所述像素电极上进一步形成有机发光二极体器件，且以所述像素电极作为所述有机发光二极体器件的阳极。

6.一种有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

所述基板上形成有由第一金属层和透明电极层形成的数据线、源极、漏极以及像素电极，其中所述源极和所述漏极之间形成有沟道区；

所述沟道区上形成有源层、栅极绝缘层、栅极并延伸形成扫描线；

钝化层，覆盖在所述基板上并裸露所述像素电极。

7.根据权利要求6所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述沟道区包括所述源极和所述漏极之间的第一沟道区及所述源极和所述漏极上方的透明电极层之间的第二沟道区，所述有源层包括填入所述第一沟道区的第一有源层和填入所述第二沟道区的第二有源层。

8.根据权利要求6所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有源层进一步包括第三有源层，所述第三有源层覆盖在所述透明电极层的边缘。

9.根据权利要求6所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一金属层为银金属层，所述透明电极层为铟锡氧化物ITO层，其中，所述数据线、所述像素电极为银金属层和铟锡氧化物ITO层的双层复合结构，所述源极、所述漏极为单层银金属层的裸露结构。

10.一种显示装置，包括有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机薄膜晶体管阵列基板为权利要求6-9任一项所述的有机薄膜晶体管阵列基板。