[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括闪存器件区和浮栅器件区，所述半导体衬底上形成有图案化的硬掩膜层；以所述图案化的硬掩膜层为掩膜在所述半导体衬底中形成若干浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶表面与所述硬掩膜层的顶表面平齐；回刻蚀所述浮栅器件区的部分浅沟槽隔离结构，以形成用于容纳部分浮栅的凹槽；去除所述硬掩膜层，以露出所述半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成隧穿氧化层和浮栅，位于所述浮栅器件区的浮栅包括位于所述凹槽中的浮栅部分。本发明通过回刻蚀去除浮栅器件区的浅沟槽隔离结构的一部分，避免了改变有源区的形状，以形成电学性能良好的理想浮栅器件。