[发明专利]一种高精度的HBT制备工艺

摘要

本发明公开了一种高精度的HBT制备工艺，在形成发射极台阶之后，于结构表面生长一层介质层，介质层的厚度由预设窗台宽度决定，然后通过各向异性的干法蚀刻工艺对介质层进行蚀刻，余下附着于发射极台阶两侧壁的介质层作为分隔层，再于预设基极区域沉积金属并合金化作为基极的金属接触。本发明的工艺可保证窗台宽度至少为分隔层的厚度，克服了黄光对准工艺精度低所带来的距离过近而导致可靠性失效的问题；并且可通过调整介质层的厚度来精确控制窗台尺寸，相对于传统的黄光对准精度控制工艺，误差由20％～30％左右改进至10％以下，改善了产品的性能和可靠性。

主权项

一种高精度的HBT制备工艺，其特征在于包括以下步骤：1)提供或形成半导体基底，所述半导体基底包括依次层叠的集电极层、基极层、蚀刻停止层和发射极层；2)于发射极层表面的预设发射极区域沉积金属作为发射极的金属接触；3)蚀刻去除预设发射极区域之外的发射极层，余下部分形成发射极台阶；4)于步骤3)形成的结构表面生长一层介质层，介质层的厚度为发射极台阶至两侧预设基极区域的距离；5)通过各向异性干法蚀刻工艺蚀刻所述介质层，余下附着于发射极台阶两侧壁的介质层作为分隔层；6)于蚀刻停止层表面的预设基极区域沉积金属并合金化作为基极的金属接触。