[发明专利]一种高精度的HBT制备工艺

权利要求书

1.一种高精度的HBT制备工艺，其特征在于包括以下步骤：

1)提供或形成半导体基底，所述半导体基底包括依次层叠的集电极层、基极层、蚀刻停止层和发射极层；

2)于发射极层表面的预设发射极区域沉积金属作为发射极的金属接触；

3)蚀刻去除预设发射极区域之外的发射极层，余下部分形成发射极台阶；

4)于步骤3)形成的结构表面生长一层介质层，介质层的厚度为发射极台阶至两侧预设基极区域的距离；

5)通过各向异性干法蚀刻工艺蚀刻所述介质层，余下附着于发射极台阶两侧壁的介质层作为分隔层；

6)于蚀刻停止层表面的预设基极区域沉积金属并合金化作为基极的金属接触。

2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：步骤2)具体为：于发射极层表面涂覆负光阻，通过曝光、显影于预设发射极区域形成显开窗口，沉积金属于所述显开窗口之内形成发射极的金属接触，并剥离光阻。

3.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：步骤3)具体为：于步骤2)形成的结构表面涂覆正光阻，通过曝光、显影于预设发射极区域形成遮蔽层，对遮蔽层之外的发射极层进行蚀刻以去除，并剥离光阻。

4.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：步骤4)中，所述介质层的厚度为0.3～1μm。

5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述介质层是SiN或SiN与SiO₂、SiON中至少一种的复合层。

6.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：步骤6)具体为：于步骤5)形成的结构表面涂覆负光阻，通过曝光、显影于预设基极区域形成显开窗口，沉积金属于所述显开窗口之内，剥离光阻后进行合金化。

7.根据权利要求6所述的制备工艺，其特征在于：所述合金化温度为350～420℃，时间为40～180s，所述基极金属扩散通过蚀刻停止层并与所述基极层接触。

8.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述集电极层为n型GaAs，所述基极层为p型GaAs，所述蚀刻停止层为InGaP，所述发射极层为InGaAs或n型GaAs。