[发明专利]基于SIW技术的低剖面CTS天线馈电线源在审
| 申请号： | 201711068658.6 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107946764A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 高雨辰;洪涛;姜文;龚书喜;赵哲民 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学;西安中电科西电科大雷达技术协同创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/50 | 分类号： | H01Q1/50;H01Q13/02;H01Q15/16;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 田文英,王品华 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于SIW技术的低剖面CTS天线馈电线源，包括上金属覆层面、介质基片和下金属覆层面；介质板层中设置有四组金属化过孔，与金属覆层面构成H面扇形喇叭初级馈源、偏置抛物反射面和SIW矩形平板波导；介质基片上下边缘设置有锯齿状扼流槽，用于减小介质板边缘效应，改善线源性能；由H面扇形喇叭初级馈源产生的柱面波经由偏置抛物反射面反射形成准平面波，沿SIW矩形平板波导输出。本发明具有结构尺寸小、剖面低、易于加工且线源输出口径场平稳的优点，可用于CTS天线或CTS天线功分网络的馈电。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 siw 技术 剖面 cts 天线 馈电 | ||
【主权项】：
一种基于基片集成波导SIW技术的低剖面连续横向枝节CTS天线馈电线源，其特征在于，该线源包括上层金属覆铜面(1)、介质基片(2)、下层金属覆铜面(3)三层结构以及位于该线源的上下侧边缘设置有锯齿状扼流槽(5)；所述的上层金属覆铜面(1)、下层金属覆铜面(3)分别位于介质基片(2)的两侧；穿过介质基片(2)的第一组金属化通孔(21)与上层金属覆铜面(1)和下层金属覆铜面(3)相连，形成H面扇形喇叭初级馈源(4)；穿过介质基片(2)的第二组金属化通孔(22)与上层金属覆铜面(1)和下层金属覆铜面(3)相连，形成偏置抛物反射面(6)；所述的偏置抛物反射面(6)的焦点与H面扇形喇叭初级馈源(4)的相位中心重合；穿过介质基片(2)的第三组金属化通孔(23)和第四组金属化通孔(24)与上层金属覆铜面(1)和下层金属覆铜面(3)相连形成基片集成波导SIW矩形平板波导(7)。
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