[发明专利]基于SIW技术的低剖面CTS天线馈电线源

权利要求书

1.一种基于基片集成波导SIW技术的低剖面连续横向枝节CTS天线馈电线源，其特征在于，该线源包括上层金属覆铜面(1)、介质基片(2)、下层金属覆铜面(3)三层结构以及位于该线源的上下侧边缘设置有锯齿状扼流槽(5)；所述的上层金属覆铜面(1)、下层金属覆铜面(3)分别位于介质基片(2)的两侧；穿过介质基片(2)的第一组金属化通孔(21)与上层金属覆铜面(1)和下层金属覆铜面(3)相连，形成H面扇形喇叭初级馈源(4)；穿过介质基片(2)的第二组金属化通孔(22)与上层金属覆铜面(1)和下层金属覆铜面(3)相连，形成偏置抛物反射面(6)；所述的偏置抛物反射面(6)的焦点与H面扇形喇叭初级馈源(4)的相位中心重合；穿过介质基片(2)的第三组金属化通孔(23)和第四组金属化通孔(24)与上层金属覆铜面(1)和下层金属覆铜面(3)相连形成基片集成波导SIW矩形平板波导(7)。

2.根据权利要求1所述的基于基片集成波导SIW技术的低剖面连续横向枝节CTS天线馈电线源，其特征在于，所述介质基片(2)的相对介电常数为2.2～2.65，介质基片(2)的厚度小于2mm。

3.根据权利要求1所述的基于基片集成波导SIW技术的低剖面连续横向枝节CTS天线馈电线源，其特征在于，所述的第一组金属化通孔(21)、第二组金属化通孔(22)、第三组金属化通孔(23)、第四组金属化通孔(24)，每组金属化通孔的单个通孔直径均为d，单位为mm，各组中相邻金属化通孔的孔心间距均为s，单位为mm，其中

4.根据权利要求1所述的基于基片集成波导SIW技术的低剖面连续横向枝节CTS天线馈电线源，其特征在于，所述的H面扇形喇叭初级馈源(4)包括同轴探针(41)、矩形基片集成波导(42)和扇形喇叭开口(43)三部分；所述的同轴探针(41)位于H面扇形喇叭初级馈源(4)的末端，与矩形基片集成波导(42)相连；所述的矩形基片集成波导(42)与扇形喇叭开口(43)相连。

5.根据权利要求1所述的基于基片集成波导SIW技术的低剖面连续横向枝节CTS天线馈电线源，其特征在于，所述的偏置抛物反射面(6)的焦距为60mm。

6.根据权利要求1所述的基于基片集成波导SIW技术的低剖面连续横向枝节CTS天线馈电线源，其特征在于，所述的基片集成波导SIW矩形平板波导(7)的输出端口沿x轴方向长度为90mm±10mm；所述的金属化通孔(23)孔心距介质基片(2)上边缘的距离小于5mm；所述金属化通孔(24)孔心距介质基片(2)下边缘的距离小于5mm。

7.根据权利要求1所述的基于基片集成波导SIW技术的低剖面连续横向枝节CTS天线馈电线源，其特征在于，所述的锯齿状扼流槽(5)包括上锯齿状扼流槽(51)和下锯齿状扼流槽(52)两部分；所述的上锯齿状扼流槽(51)由多个底为4mm±2mm，高为6mm±2mm的锐角三角形构成，位于介质基片(2)上边缘，且位于偏置抛物反射面(6)与基片集成波导SIW矩形平板波导(7)之间；所述的下锯齿状扼流槽(52)由多个底为8mm±2mm，高为8mm±2mm的锐角三角形构成，位于介质基片(2)下边缘，且位于偏置抛物反射面(6)与H面扇形喇叭初级馈源(4)之间。