[发明专利]一种EDA验证阶段的寄存器测试方法有效

专利信息
申请号: 201711067061.X 申请日: 2017-11-03
公开(公告)号: CN107885925B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 常迎辉;张俊杰;曾明;沈贵元;赵月明 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
主分类号: G06F30/398 分类号: G06F30/398
代理公司: 河北东尚律师事务所 13124 代理人: 王文庆
地址: 050081 河北省石家庄*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种EDA验证阶段的寄存器测试方法,属于集成电路开发技术领域。其包括组建寄存器测试平台、编写寄存器测试程序以及寄存器测试等步骤。本发明测试过程中,寄存器测试程序减少了对测试场景的依赖性,可贯穿整个EDA验证阶段,并实现了最大化的随机测试,是对现有技术的一个重要改进。
搜索关键词: 一种 eda 验证 阶段 寄存器 测试 方法
【主权项】:
一种EDA验证阶段的寄存器测试方法,其特征在于,用于对待验证设计进行寄存器测试,包括以下步骤:(1)基于VMM验证方法学构建验证环境,抽象RAL寄存器模型,组建寄存器测试平台;(2)运行测试向量开始仿真,在仿真的同时并行地调用寄存器测试程序对寄存器进行测试,检查测试向量是否正确完成;(3)若步骤(2)所做测试正常完成,且测试向量正确完成,则待验证设计通过测试。
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