[发明专利]一种智能功率MOSFET逆变模块有效
| 申请号： | 201711064431.4 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109756127B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李春林;车湖深;李彦莹 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种智能功率MOSFET逆变模块，所述MOSFET逆变模块至少包括：印制电路板、陶瓷覆铜板、MOSFET芯片、第一连接线、第二连接线以及塑封件；所述印制电路板上设置有驱动电路和用于外接的焊盘；所述陶瓷覆铜板表面具有线路图案；所述MOSFET芯片固定在所述陶瓷覆铜板表面，所述MOSFET芯片通过所述第一连接线与所述焊盘相连，所述MOSFET芯片通过所述第二连接线与所述线路图案相连，所述MOSFET芯片与所述线路图案构成三相逆变电路；所述塑封件灌封所述印制电路板、陶瓷覆铜板、MOSFET芯片、第一连接线以及第二连接线。本发明通过将MOSFET芯片与驱动电路的模块化设计，可提高产品的集成度，减少逆变电路及其驱动电路的占用面积，提高逆变电路可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 智能 功率 mosfet 模块 | ||
【主权项】：
1.一种智能功率MOSFET逆变模块，其特征在于，所述MOSFET逆变模块至少包括：印制电路板、陶瓷覆铜板、MOSFET芯片、第一连接线、第二连接线以及塑封件；所述印制电路板上设置有驱动电路和用于外接的焊盘；所述陶瓷覆铜板表面具有线路图案；所述MOSFET芯片固定在所述陶瓷覆铜板表面，所述MOSFET芯片通过所述第一连接线与所述焊盘相连，所述MOSFET芯片通过所述第二连接线与所述线路图案相连，所述MOSFET芯片与所述线路图案构成三相逆变电路；所述塑封件灌封所述印制电路板、陶瓷覆铜板、MOSFET芯片、第一连接线以及第二连接线。
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