[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件制造方法，通过在衬底上的堆叠层中形成沟道孔的阵列，去除沟道孔两侧的部分堆叠层以及沟道孔内的部分电荷捕获层，形成隔离沟槽，在隔离沟槽中填充绝缘材料，形成隔离层。隔离层将堆叠层及沟道孔内的电荷捕获层分隔开，使电荷捕获层被分隔成两个部分，从而一个沟道孔能够形成两个存储单元，有效提高器件的存储密度，提高器件的集成度。

主权项

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层；在所述堆叠层中形成沟道孔的阵列，所述沟道孔中依次形成有电荷捕获层、沟道层和填充层；去除沟道孔两侧的部分堆叠层以及沟道孔内的部分电荷捕获层，形成隔离沟槽，所述隔离沟槽在水平方向上沿阵列的一个方向延伸至相邻的沟道孔，且所述隔离沟槽在堆叠层的堆叠方向上贯通至电荷捕获层的底部，所述隔离沟槽未分隔沟道孔中的沟道层；在所述隔离沟槽中形成隔离层；在所述隔离沟槽中形成隔离层，包括：在所述隔离沟槽中、沟道孔内沟道层以及电荷捕获层的侧壁上形成保护层，所述保护层为第一绝缘材料；在所述保护层的掩蔽下，通过所述隔离沟槽将所述牺牲层替换为金属层；在所述隔离沟槽中形成填充层，所述填充层为第二绝缘材料，以形成隔离层。