[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法有效
申请号: | 201711058315.1 | 申请日: | 2017-11-01 |
公开(公告)号: | CN107863348B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 陈子琪;吴关平 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11563 | 分类号: | H01L27/11563;H01L27/11578;H01L27/11568 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dnand 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种3D NAND存储器件的制造方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底上形成有绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层;
在所述堆叠层中形成沟道孔的阵列,所述沟道孔中依次形成有电荷捕获层、沟道层和填充层;
去除沟道孔两侧的部分堆叠层以及沟道孔内的部分电荷捕获层,形成隔离沟槽,所述隔离沟槽在水平方向上沿阵列的一个方向延伸至相邻的沟道孔,且所述隔离沟槽在堆叠层的堆叠方向上贯通至电荷捕获层的底部,所述隔离沟槽未分隔沟道孔中的沟道层;
在所述隔离沟槽中形成隔离层;
在所述隔离沟槽中形成隔离层,包括:
在所述隔离沟槽中、沟道孔内沟道层以及电荷捕获层的侧壁上形成保护层,所述保护层为第一绝缘材料;
在所述保护层的掩蔽下,通过所述隔离沟槽将所述牺牲层替换为金属层;
在所述隔离沟槽中形成填充层,所述填充层为第二绝缘材料,以形成隔离层。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述保护层具有与所述绝缘层相同的绝缘材料。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的制造方法,其特征在于,所述隔离沟槽的中心线与所述沟道孔的中心线重合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的