[发明专利]一种降低单晶棒假性高电阻的方法在审
| 申请号： | 201711056855.6 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107761173A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 付家云;夏志科;夏年丰;吴平;赵军;胡瑾;曾霞 | 申请（专利权）人： | 四川永祥硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王学强,罗满 |
| 地址： | 614800 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低单晶棒假性高电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤(1)挑选出假性高电阻单晶棒进行登记信息；(2)用带有酒精的无尘纸将单晶棒表面擦拭干净；(3)将单晶棒放置在石墨底板上，然后送入铸锭炉内，关闭铸锭炉将炉内抽真空至0.008MPa以下；(4)先预热，然后快速加热至600～700℃；(5)炉内温度在660℃下稳定1～2小时后停炉，开启冷却系统冷却至温度为500℃；(6)取出单晶棒对其进行快速冷却至常温；(7)检测单晶棒的电阻率。该方法通过对单晶棒进行回火处理，可以使单晶棒的电阻恢复到正常范围值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 单晶棒 假性 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种降低单晶棒假性高电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)挑选出假性高电阻单晶棒进行登记信息；(2)用带有酒精的无尘纸将单晶棒表面擦拭干净；(3)将单晶棒放置在石墨底板上，然后送入铸锭炉内，关闭铸锭炉将炉内抽真空至0.008MPa以下；(4)先预热，然后快速加热至600～700℃；(5)炉内温度在660℃下稳定1～2小时后停炉，开启冷却系统冷却至温度为500℃；(6)取出单晶棒对其进行快速冷却至常温；(7)检测单晶棒的电阻率。
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