[发明专利]一种降低单晶棒假性高电阻的方法在审
| 申请号： | 201711056855.6 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107761173A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 付家云;夏志科;夏年丰;吴平;赵军;胡瑾;曾霞 | 申请（专利权）人： | 四川永祥硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王学强,罗满 |
| 地址： | 614800 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 单晶棒 假性 电阻 方法 | ||
1.一种降低单晶棒假性高电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)挑选出假性高电阻单晶棒进行登记信息；
(2)用带有酒精的无尘纸将单晶棒表面擦拭干净；
(3)将单晶棒放置在石墨底板上，然后送入铸锭炉内，关闭铸锭炉将炉内抽真空至0.008MPa以下；
(4)先预热，然后快速加热至600～700℃；
(5)炉内温度在660℃下稳定1～2小时后停炉，开启冷却系统冷却至温度为500℃；
(6)取出单晶棒对其进行快速冷却至常温；
(7)检测单晶棒的电阻率。
2.根据权利要求1所述的降低单晶棒假性高电阻的方法，其特征在于，所述步骤(3)中单晶棒和石墨底板之间放置有晶圆厚片。
3.根据权利要求1所述的降低单晶棒假性高电阻的方法，其特征在于，所述步骤(3)中每个石墨底板上放置20～30个单晶棒。
4.根据权利要求1所述的降低单晶棒假性高电阻的方法，其特征在于，所述步骤(4)中预热时间为5～10分钟。
5.根据权利要求1所述的降低单晶棒假性高电阻的方法，其特征在于，所述步骤(5)中冷却系统为空气制冷或水冷盘中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的降低单晶棒假性高电阻的方法，其特征在于，所述步骤(6)中快速冷却采用工业风扇进行冷却。
7.根据权利要求1所述的降低单晶棒假性高电阻的方法，其特征在于，所述步骤(7)中检测电阻率的方法为四探针电阻测试仪，对单晶棒采用三点测试法。
8.根据权利要求1所述的降低单晶棒假性高电阻的方法，其特征在于，所述步骤(7)中检测不合格的单晶棒重新进行降低高电阻的处理。
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