[发明专利]一种带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构在审
| 申请号： | 201711051971.9 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN107863379A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张春伟;李阳;李威;岳文静;付小倩;李志明;王靖博 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司37221 | 代理人： | 赵妍 |
| 地址： | 250022 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构，包括P型半导体衬底；P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱；P型阱上设有N型源区和P型接触区；N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层；在部分N型漂移区和部分P型阱上方设有栅氧化层；栅氧化层表面设有多晶硅栅；P型接触区和N型源区上连接有源极金属，且源极金属延伸至场氧化层的上方；N型漏区上连接有漏极金属；其特征在于，N型漂移区的内部设有场板辅助掺杂区，场板辅助掺杂区的掺杂类型为N型，且掺杂浓度大于N型漂移区的掺杂浓度。该结构可以改善场板覆盖范围内表面电场的均匀性，提高器件横向击穿电压，同时减小器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 辅助 掺杂 ldmos 结构 | ||
【主权项】：
一种带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构，包括：P型半导体衬底(1)；在P型半导体衬底(1)上设置有N型漂移区(2)和P型阱(3)；在P型阱(3)上设有N型源区(4)和P型接触区(5)；在N型漂移区(2)上设有N型漏区(6)和场氧化层(7)；在部分N型漂移区(2)和部分P型阱(3)上方设有栅氧化层(8)，且栅氧化层(8)的一端和N型源区(4)的边界相抵，所述栅氧化层(8)的另一端与场氧化层(7)的边界相抵；在栅氧化层(8)表面设有多晶硅栅(9)，且多晶硅栅(9)延伸至场氧化层(7)的上方；在部分P型阱(3)、P型接触区(5)、N型源区(4)、多晶硅栅(9)、N型漏区(6)及部分场氧化层(7)的表面设有介质层(10)；在P型接触区(5)和N型源区(4)上连接有源极金属(11)，且源极金属(11)延伸至场氧化层(7)的上方；N型漏区(6)上连接有漏极金属(12)；其特征在于，所述N型漂移区(2)的内部设有场板辅助掺杂区(13)，且场板辅助掺杂区(13)的掺杂类型为N型。
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