[发明专利]一种带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构

权利要求书

1.一种带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构，包括：P型半导体衬底(1)；在P型半导体衬底(1)上设置有N型漂移区(2)和P型阱(3)；在P型阱(3)上设有N型源区(4)和P型接触区(5)；在N型漂移区(2)上设有N型漏区(6)和场氧化层(7)；在部分N型漂移区(2)和部分P型阱(3)上方设有栅氧化层(8)，且栅氧化层(8)的一端和N型源区(4)的边界相抵，所述栅氧化层(8)的另一端与场氧化层(7)的边界相抵；在栅氧化层(8)表面设有多晶硅栅(9)，且多晶硅栅(9)延伸至场氧化层(7)的上方；在部分P型阱(3)、P型接触区(5)、N型源区(4)、多晶硅栅(9)、N型漏区(6)及部分场氧化层(7)的表面设有介质层(10)；在P型接触区(5)和N型源区(4)上连接有源极金属(11)，且源极金属(11)延伸至场氧化层(7)的上方；N型漏区(6)上连接有漏极金属(12)；其特征在于，所述N型漂移区(2)的内部设有场板辅助掺杂区(13)，且场板辅助掺杂区(13)的掺杂类型为N型。

2.根据权利要求1所述的带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构，其特征在于，所述场板辅助掺杂区(13)位于N型漂移区(2)的表面。

3.根据权利要求2所述的带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构，其特征在于，所述场板辅助掺杂区(13)的掺杂浓度大于N型漂移区(2)的掺杂浓度。

4.根据权利要求2所述的带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构，其特征在于，所述场板辅助掺杂区(13)位于源极金属(11)正下方的覆盖范围之内。

5.一种应用于打印机、电动机或者平板显示器的驱动芯片，其特征在于，采用了权利要求1-4所述的任一种带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构。

6.一种电源管理芯片，其特征在于，采用了权利要求1-4所述的任一种带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构。