[发明专利]p型太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201711047566.X | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107993940A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李华;童洪波;靳玉鹏 | 申请（专利权）人： | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 文雯 |
| 地址： | 225300 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种p型太阳能电池的制备方法，通过对p型硅基底表面织构化及清洗；进行pn结制备；进行绝缘处理；进行受光面的钝化及减反射膜制备；在正反面图形化形成包含导电成分的电极浆料层；进行第一热处理过程；进行第二热处理过程。相对比一次热处理过程，该种p型太阳能电池的制备方法的两次热处理过程可以降低电池电极的接触电阻和串联电阻，可以拓宽电池烧结工艺窗口，可以提高钝化膜中的氢钝化性能得到提升，从而使得钝化性能和接触性能等同时达到最佳。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种p型太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤1、对p型硅基底表面织构化及清洗；步骤2、进行pn结制备；步骤3、进行绝缘处理；步骤4、进行受光面的钝化及减反射膜制备；步骤5、在正反面图形化形成包含导电成分的电极浆料层；步骤6、进行第一热处理过程；步骤7、进行第二热处理过程。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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