[发明专利]p型太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201711047566.X | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107993940A | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 李华;童洪波;靳玉鹏 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L31/18 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 文雯 |
地址: | 225300 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种p型太阳能电池的制备方法,其特征在于:包括以下步骤,
步骤1、对p型硅基底表面织构化及清洗;
步骤2、进行pn结制备;
步骤3、进行绝缘处理;
步骤4、进行受光面的钝化及减反射膜制备;
步骤5、在正反面图形化形成包含导电成分的电极浆料层;
步骤6、进行第一热处理过程;
步骤7、进行第二热处理过程。
2.如权利要求1所述的p型太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤2中pn结制备方法采用气体携源热扩散方法、外部掺杂源协同热处理方法或离子注入协同退火方法。
3.如权利要求1所述的p型太阳能电池的制备方法,其特征在于:该p型太阳能电池的制备方法还包括在电池背面进行钝化膜的沉积步骤,以及对背面的钝化膜进行局部开膜形成接触窗口。
4.如权利要求1所述的p型太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤4中,钝化及减反射膜是使用原子层沉积、等离子增强气相沉积方法、常压气相沉积方法、低压气相沉积方法或热氧化方法制备而成,钝化及减反射膜由氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛中的一种或多种叠层组成。
5.如权利要求1-4任一项所述的p型太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤5中,图形化形成电极浆料层的方法是印刷方法、激光转印、喷墨打印或3D打印方法。
6.如权利要求1-4任一项所述的p型太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤6中,第一热处理过程使用的峰值温度为500~950℃。
7.如权利要求1-4任一项所述的p型太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤7中,第二热处理过程采用的热处理方法采用激光辐照处理方法或快速热处理方法。
8.如权利要求7所述的p型太阳能电池的制备方法,其特征在于:激光辐照处理方法采用超过太阳能电池尺寸的大光斑一次照射,或使用小于太阳能电池面积的光斑进行扫描式辐照,辐照次数为一次及以上。
9.如权利要求7所述的p型太阳能电池的制备方法,其特征在于:激光辐照处理方法使用的激光器的波长是300~1100nm。
10.如权利要求1所述的p型太阳能电池的制备方法,其特征在于:第二热处理过程采用的热处理方法使用的峰值温度为600~1000℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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