[发明专利]带有电位浮动型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

摘要

本发明公开了一种带有电荷可调型场板的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底，P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱，在P型阱上设有N型源区、P型接触区和栅氧化层，在N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在P型接触区和N型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。

主权项

带有电位浮动型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底(1)，在P型半导体衬底(1)上设置有N型漂移区(2)和P型阱(3)，在P型阱(3)上设有N型源区(4)和P型接触区(5)，在N型漂移区(2)上设有N型漏区(6)和场氧化层(7)，在部分N型漂移区(2)和部分P型阱(3)上方设有栅氧化层(8)，且栅氧化层(8)的一端和N型源区(4)的边界相抵，所述栅氧化层(8)的另一端与场氧化层(7)的边界相抵，在栅氧化层(8)表面设有多晶硅栅(9)，且多晶硅栅(9)延伸至场氧化层(7)的上方，在部分P型阱(3)、P型接触区(5)、N型源区(4)、多晶硅栅(9)、N型漏区(6)及部分场氧化层(7)的表面设有介质层(10)，在N型漏区(6)上连接有漏极金属(11)，在P型接触区(5)和N型源区(4)上连接有源极金属(14)，其特征在于，所述场氧化层(7)表面设有第一电荷可调型场板(121)、第二电荷可调型场板(122)和第三电荷可调型场板(123)，所述第一电荷可调型场板(121)上连接有第一金属感应层(131)，所述第二电荷可调型场板(122)上连接有第二金属感应层(132)，所述第三电荷可调型场板(123)上连接有第三金属感应层(133)，所述介质层(10)表面设有场板电位调节电极(15)，且场板电位调节电极(15)完全覆盖第一金属感应层(131)、第二金属感应层(132)和第三金属感应层(133)；所述场板电位调节电极(15)的电位与器件工作状态有关，当器件处于关断状态时，场板电位调节电极(15)连接低电位，辅助N型漂移区(2)的耗尽，提高器件横向耐压能力；当器件处于导通状态时，场板电位调节电极(15)连接高电位，提高N型漂移区(2)内的载流子浓度，提高器件的电流能力。