[发明专利]带有电位浮动型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

权利要求书

1.带有电位浮动型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底(1)，在P型半导体衬底(1)上设置有N型漂移区(2)和P型阱(3)，在P型阱(3)上设有N型源区(4)和P型接触区(5)，在N型漂移区(2)上设有N型漏区(6)和场氧化层(7)，在部分N型漂移区(2)和部分P型阱(3)上方设有栅氧化层(8)，且栅氧化层(8)的一端和N型源区(4)的边界相抵，所述栅氧化层(8)的另一端与场氧化层(7)的边界相抵，在栅氧化层(8)表面设有多晶硅栅(9)，且多晶硅栅(9)延伸至场氧化层(7)的上方，在部分P型阱(3)、P型接触区(5)、N型源区(4)、多晶硅栅(9)、N型漏区(6)及部分场氧化层(7)的表面设有介质层(10)，在N型漏区(6)上连接有漏极金属(11)，在P型接触区(5)和N型源区(4)上连接有源极金属(14)，其特征在于，所述场氧化层(7)表面设有第一电荷可调型场板(121)、第二电荷可调型场板(122)和第三电荷可调型场板(123)，所述第一电荷可调型场板(121)上连接有第一金属感应层(131)，所述第二电荷可调型场板(122)上连接有第二金属感应层(132)，所述第三电荷可调型场板(123)上连接有第三金属感应层(133)，所述介质层(10)表面设有场板电位调节电极(15)，且场板电位调节电极(15)完全覆盖第一金属感应层(131)、第二金属感应层(132)和第三金属感应层(133)；

所述场板电位调节电极(15)的电位与器件工作状态有关，当器件处于关断状态时，场板电位调节电极(15)连接低电位，辅助N型漂移区(2)的耗尽，提高器件横向耐压能力；当器件处于导通状态时，场板电位调节电极(15)连接高电位，提高N型漂移区(2)内的载流子浓度，提高器件的电流能力。

2.根据权利要求1所述的带有电位浮动型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述第一电荷可调型场板(121)、第二电荷可调型场板(122)、第三电荷可调型场板(123)、第一金属感应层(131)、第二金属感应层(132)和第三金属感应层(133)的长度各不相同，可以根据设计需要分别进行调节。

3.一种应用于打印机、电动机或平板显示器的驱动芯片，其特征在于，采用权利要求1-2所述的任一种带有电位浮动型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。

4.一种打印机，其特征在于，采用了权利要求3所述的驱动芯片。

5.一种电动机，其特征在于，采用了权利要求3所述的驱动芯片。

6.一种平板显示器，其特征在于，采用了权利要求3所述的驱动芯片。