[发明专利]一种紫外探测器及其制备方法在审
| 申请号: | 201711025979.8 | 申请日: | 2017-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN107706253A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
| 发明(设计)人: | 朱秋华 | 申请(专利权)人: | 朱秋华 |
| 主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司11659 | 代理人: | 徐鹏飞 |
| 地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种日盲型紫外探测器及其制备方法,由石英衬底、氧化镓外延层和Au电极组成;所述石英衬底的厚度为3mm‑7mm,所述氧化镓外延层生长于所述石英衬底上,厚度为250‑350nm,所述Au电极的形状为圆形,厚度为40‑60nm,直径为80‑100nm。本发明实施例提出一种基于氧化镓薄膜的紫外探测器,采用化学气相沉积法在石英衬底上制备氧化镓外延层,采用磁控溅射法在氧化镓外延层上制备电极,解决了现有技术中氧化锌、氮化镓以及碳化硅等材料不能应用于制备紫外探测器的技术问题。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种日盲型紫外探测器,其特征在于,包括石英衬底、氧化镓外延层和Au电极;所述石英衬底的的厚度为3mm‑7mm,所述氧化镓外延层生长于所述石英衬底上,厚度为250‑350nm,所述Au电极的形状为圆形,厚度为40‑60nm,直径为80‑100nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





