[发明专利]一种紫外探测器及其制备方法在审
| 申请号: | 201711025979.8 | 申请日: | 2017-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN107706253A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
| 发明(设计)人: | 朱秋华 | 申请(专利权)人: | 朱秋华 |
| 主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司11659 | 代理人: | 徐鹏飞 |
| 地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及紫外探测器制备领域,尤其涉及一种日盲型紫外探测器及其制备方法。
背景技术
自太阳的紫外辐射在通过大气层时,由于大气层中的臭氧层对200~280nm紫外辐射具有强烈的吸收作用,这一波段紫外辐射在近地大气中几乎不存在,因而,该波段的紫外辐射又被称为日盲紫外。由于没有来自太阳的背景辐射干扰,日盲型紫外探测显示出背景噪声小、可全天候工作等诸多优点,可广泛应用于导弹预警、火焰探测、电晕探测以及医疗等领域,具有极高的军事和民用价值,因此人们对紫外波段的探测需要越来越多。
目前,常见的氧化锌、氮化镓以及碳化硅等材料制备的探测器,由于激子结合能一般低于50,对应的带隙宽度一般大于280nm,因此很慢满足紫外探测的需要
而氧化镓在室温下带隙宽度为4.9~5.0eV,激子结合能高达60meV,由于其带隙宽度对应的波长为250-260nm,正好位于日盲区,是一种可用作日盲型紫外探测的理想材料,因此由氧化镓制备成的探测器可以很好第应用于紫外探测器领域。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提出一种基于氧化镓薄膜的紫外探测器,采用化学气相沉积法在石英衬底上制备氧化镓外延层,采用磁控溅射法在氧化镓外延层上制备电极,解决了现有技术中氧化锌、氮化镓以及碳化硅等材料不能应用于制备紫外探测器的技术问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种日盲型紫外探测器,包括石英衬底、氧化镓外延层和Au电极;
所述石英衬底的的厚度为3mm-7mm,所述氧化镓外延层生长于所述石英衬底上,厚度为250-350nm,所述Au电极的形状为圆形,厚度为40-60nm,直径为80-100nm。
所述氧化镓薄膜外延层的制备在化学气相沉积设备中进行,所述Au电极采用磁控溅射法生长于氧化镓外延层上。
第二方面,本发明实施例还提供了一种日盲型紫外探测器的制备方法,其特征在于,包括在所述石英衬底上制备氧化镓外延层和在所述氧化镓外延层上制备所述Au电极。
所述氧化镓外延层的制备方法包括如下步骤:
清洗石英衬底,并使用氮气吹干;
将所述石英衬底置于石英舟上,将所述石英舟置于所述化学气相沉积设备的反应室内合适位置处,关闭所述反应室阀门;
将氧化镓粉末置于所述石英舟与所述化学气相沉积设备的反应室进气端口之间,并距离石英舟8-12cm处;
打开气路,使惰性气体和氧气的混合气体持续通入所述反应室;
设置所述化学气相沉积设备的反应室内加热温度和加热时长,完成所述氧化镓薄膜的制备。
所述制备氧化镓外延层的方法包括清洗所述石英衬底,包括将所述石英衬底置于甲苯溶液中,并用超声波清洗15分钟,用去离子水将所述石英衬底冲洗干净,再将所述石英衬底置于酒精溶液中,并用超声波清洗15分钟,再用所述去离子水将所述石英衬底冲洗干净。
在氧化镓外延层的制备过程中,所述化学气相沉积设备的反应室保持常压,所述氧化镓粉末的纯度为99%。
所述惰性气体可以是氦气、氩气、氖气,或其混合气体;所述惰性气体和氧气的纯度均不低于99%;所述惰性气体和所述氧气在进入所述化学气相沉积设备反应室前就已经完成混合。
所述石英衬底的工作温度为500-1000℃,所述加热时长为0.5-2.0小时。
所述Au电极的制备包括,在所述石英衬底上制备完成所述氧化镓外延层以后,将掩膜版置于所述氧化镓外延层上,将带有所述氧化镓外延层和所述掩膜版的所述石英衬底置于磁控溅射设备中。
以纯度为99.99%的Au靶做靶源,在惰性气体环境中,溅射30-50分钟。
本发明通过选择在石英衬底上制备氧化镓外延层,并镀以Au电极,制备成了紫外探测器,能够应用于波长为200nm-280nm范围内的紫外光的探测,并且达到植被简单、探测背景噪声小和可全天候工作等优点。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1是本发明实施例一的日盲型紫外探测器。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
实施例一
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





