[发明专利]一种发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201711021650.4 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107887487B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李波;杨凯;邹微微;徐洲;张双翔 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：外延结构以及金属扩展电极，其中，金属扩展电极设置在外延结构的表面。所述外延结构包括GaAs衬底、DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、粗化层以及欧姆接触层，所述粗化层以及所述欧姆接触层开设有沟槽，所述沟槽在第一预设方向上的深度小于所述粗化层以及所述欧姆接触层的厚度之和。可见在本方案中，通过在欧姆接触层开设沟槽，使得金属扩展电极悬置，进而改善了金属扩展电极对出光的阻挡。除此，本方案还对沟槽内部进行金属粗化处理，进一步改善了光的输出路径，提高了光的输出率，进而改善了外量子效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包括：外延结构，所述外延结构包括GaAs衬底、DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、粗化层以及欧姆接触层，所述粗化层以及所述欧姆接触层开设有沟槽，所述沟槽在第一预设方向上的深度小于所述粗化层以及所述欧姆接触层的厚度之和；金属扩展电极，设置在所述外延结构的表面。
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