[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

外延结构，所述外延结构包括GaAs衬底、DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、粗化层以及欧姆接触层，所述粗化层以及所述欧姆接触层开设有沟槽，所述沟槽在第一预设方向上的深度小于所述粗化层以及所述欧姆接触层的厚度之和；

金属扩展电极，设置在所述外延结构的表面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

SOG填充物，所述SOG填充物填充在所述沟槽中，以使所述SOG填充物在预设工序中去除。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述外延结构中的所述沟槽为侧壁以及底部经过粗化处理的沟槽。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述沟槽在所述GaAs衬底上的投影形状包括矩形、三角形以及圆形。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

电极，所述电极设置在所述金属扩展电极表面，且，所述沟槽对称分布在所述电极的两侧。

6.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：

提供外延结构，所述外延结构包括GaAs衬底、DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、粗化层以及欧姆接触层；

在所述欧姆接触层上制作预设厚度的金属扩展电极层；

在所述金属扩展电极层上形成预设沟槽图形；

在所述欧姆接触层以及所述粗化层开设沟槽，所述沟槽在第一预设方向上的深度小于所述粗化层以及所述欧姆接触层的厚度之和；

在所述外延结构上形成金属扩展电极以及金属焊盘；

在所述外延结构上形成背电极。

7.根据权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，在所述欧姆接触层以及所述粗化层开设沟槽之后，还包括：

在所述沟槽的表面旋涂SOG填充物，进行固化；

相应的，在所述外延结构上形成金属扩展电极以及金属焊盘之后，还包括：

去除所述SOG填充物。

8.根据权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，在所述欧姆接触层以及所述粗化层开设沟槽之后，还包括：

对当前外延结构的粗化层中的沟槽进行粗化处理。

9.根据权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述在所述欧姆接触层以及所述粗化层开设沟槽，包括：

基于预设沟槽图形，对所述外延结构刻蚀预设时间，得到具有预设深度的沟槽的目标外延结构；

对所述目标外延结构的粗化层进行预设深度的刻蚀，使得所述沟槽在所述粗化层的深度小于所述粗化层的厚度。