[发明专利]制备导电薄膜的方法在审
| 申请号： | 201711020461.5 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107863200A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王红丽 | 申请（专利权）人： | 成都天航智虹知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 史姣姣 |
| 地址： | 610094 四川省成都市自由贸易试验区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备导电薄膜的方法，属于导电薄膜生产技术领域。所述方法包括以下步骤一种制备导电薄膜的方法，包括以下步骤A．沉积金属铜层在洁净、干燥的玻璃板上沉积5‑10nm的金属铜层；B．沉积石墨烯层采用CVD法沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为40～50μm；所述CVD法沉积过程中，碳源为甲烷，气体为体积比为2～51的H2和He的混合气体；所述甲烷与混合气体的体积比为8～101；C.干燥将步骤B得到的半成品进行干燥即可。与现有技术相比，本发明具有生产成本低，制备方法简单，透光率高优点。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 导电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
制备导电薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：A．沉积金属铜层在洁净、干燥的玻璃板上沉积5‑10nm的金属铜层；B、制备氧化石墨烯薄膜层在金属铜层上涂布氧化石墨烯水溶液，在60～90℃条件下烘干，形成厚度为20～30μm的氧化石墨烯薄膜层；C．沉积石墨烯层采用CVD法在氧化石墨烯薄膜层上沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为40～50μm；所述CVD法沉积过程中，碳源为甲烷，气体为体积比为2～5:1的H2和He的混合气体；所述甲烷与混合气体的体积比为8～10:1；D．干燥将步骤C得到的半成品进行干燥即可。
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