[发明专利]制备导电薄膜的方法在审
| 申请号： | 201711020461.5 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107863200A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王红丽 | 申请（专利权）人： | 成都天航智虹知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 史姣姣 |
| 地址： | 610094 四川省成都市自由贸易试验区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 导电 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.制备导电薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：
A．沉积金属铜层
在洁净、干燥的玻璃板上沉积5-10nm的金属铜层；
B、制备氧化石墨烯薄膜层
在金属铜层上涂布氧化石墨烯水溶液，在60～90℃条件下烘干，形成厚度为20～30μm的氧化石墨烯薄膜层；
C．沉积石墨烯层
采用CVD法在氧化石墨烯薄膜层上沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为40～50μm；所述CVD法沉积过程中，碳源为甲烷，气体为体积比为2～5:1的H2和He的混合气体；所述甲烷与混合气体的体积比为8～10:1；
D．干燥
将步骤C得到的半成品进行干燥即可。
2.如权利要求1所述的制备导电薄膜的方法，其特征在于：步骤A中，所述沉积金属铜层的方法为磁控溅射法，本底真空度：5×10-5～2×10-4Pa，溅射压力3～5Pa，衬底温度30～70℃。
3.如权利要求1所述的制备导电薄膜的方法，其特征在于：步骤C中，所述CVD法沉积石墨烯薄膜层过程中，沉积的温度为700～750℃，沉积的压力为1×10-4～2×10-4Pa。
4.如权利要求1～3任一项所述的制备导电薄膜的方法，其特征在于：步骤D中，所述干燥的条件为110～130℃下干燥5～10min。
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