[发明专利]用原位生成法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法及在发光二极管中应用

摘要

本发明公开了用原位生成法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法及在发光二极管中应用，先在导电玻璃上制备好空穴注入与传输层和过渡金属氧化物骨架，再将芯片整体放到溶剂的烧瓶中，然后，将铯源快速注入，得到过渡金属氧化物/量子点体异质结，将其从反应容器中取出进行后续过程，制备出发光二极管；所述发光二极管设有金属对电极、电子注入与传输层、过渡金属氧化物/量子点体异质结量子点发光层、空穴注入与传输层、ITO透明电极、玻璃基底、电源组成；本发明的特征在于利用原位生成法制备异质结，金属氧化物纳米晶和量子点之间的界面结合强度较高。同时，省去了繁琐的量子点后处理工序，简化了制备工艺，并且杜绝了量子点的污染。

主权项

1.用原位生成法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：利用原位生成的方式，将过渡金属氧化物骨架浸泡在制备量子点的溶液中，使量子点在过渡金属氧化物骨架的孔隙中生成，以达到量子点和过渡金属氧化物骨架的紧密结合，后续再将残留液体冲洗干净，加热烘干即可得过渡金属氧化物骨架/量子点体异质结；避免了量子点填充不充分，反而降低发光二极管的效率；将其应用到发光二极管中，设有透明导电电极的玻璃基底、空穴注入与传输层，过渡金属氧化物/量子点体异质结发光层、电子注入与传输层、金属对电极；电极、电子注入与传输层、过渡金属氧化物/量子点体异质结量子点发光层、空穴注入与传输层、ITO透明电极、玻璃基底由上向下依次连接，电极位于顶部，玻璃基底位于底部，电源正极穿透玻璃基底与导电玻璃相连接，电源负极与电极相连接。