[发明专利]用原位生成法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法及在发光二极管中应用

权利要求书

1.用原位生成法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：利用原位生成的方式，将过渡金属氧化物骨架浸泡在制备量子点的溶液中，使量子点在过渡金属氧化物骨架的孔隙中生成，以达到量子点和过渡金属氧化物骨架的紧密结合，后续再将残留液体冲洗干净，加热烘干即可得过渡金属氧化物骨架/量子点体异质结；避免了量子点填充不充分，反而降低发光二极管的效率；将其应用到发光二极管中，设有透明导电电极的玻璃基底、空穴注入与传输层，过渡金属氧化物/量子点体异质结发光层、电子注入与传输层、金属对电极；电极、电子注入与传输层、过渡金属氧化物/量子点体异质结量子点发光层、空穴注入与传输层、ITO透明电极、玻璃基底由上向下依次连接，电极位于顶部，玻璃基底位于底部，电源正极穿透玻璃基底与导电玻璃相连接，电源负极与电极相连接。

2.根据权利要求1所述的用原位生成法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：过渡金属氧化物为的HOMO能级在-4.6~-5.3eV左右。

3.根据权利要求1所述的用原位生成法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：过渡金属氧化物为能级较高的HOMO能级的NiO、V2O5、WO3金属氧化物，厚度为1-100nm。

4.根据权利要求1所述的用原位生成法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：过渡金属氧化物/量子点体异质结发光层结构中的量子点为无机半导体纳米材料，如CdSe/CdS/ZnS量子点，厚度为1-100nm。

5.根据权利要求1所述的用原位生成法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：电极由Al或Ag或AL/Ag构成，所形成的电极材料的厚度约为1-150nm。

6.根据权利要求1所述的用原位生成法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：电子注入与传输层由无机氧化物ZnO（ZnMgO）或TiO2构成，厚度为1-100nm。

7.根据权利要求1所述的用原位生成法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：空穴注入与传输层由poly-TPD、或PVK、或TFB、或聚对苯撑乙烯(PPV)类、或聚噻吩类、或聚硅烷类、或三苯甲烷类构成，厚度为1-100nm。

8.根据权利要求1所述的用原位生成法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法，其特征在于：导电玻璃为ITO导电玻璃、或FTO玻璃、或PET/ITO导电玻璃，厚度为1-200nm。

9.如权利要求1所述过渡金属氧化物/量子点体异质结发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）制备空穴注入与传输层：将空穴注入与传输层依次旋涂在已清洗干净的有透明电极的导电基底上，干燥成膜，即为空穴注入与传输层；

2）制备过渡金属氧化物骨架：将过度金属氧化物溶胶旋涂到芯片上，加热烘干即可得过渡金属氧化物骨架薄膜；

3）制备过渡金属氧化物/量子点体异质结：以原位生成全无机钙钛矿CsPbX3(X=Cl、Br、I)为例，采用铯的前驱体，溶于十八烯的油酸铯，作为铯源；将PbX2、油酸、油胺以及十八烯混合作为溶剂，放入多孔过渡金属氧化物薄膜及其基体，抽真空30min，通入氩气加热180℃；然后，将铯源快速注入，瞬间冷却，量子点在多孔过渡金属氧化物薄膜内迅速成核，得到过渡金属氧化物/量子点体异质结，将其从反应容器中取出，冲洗干燥即可得过渡金属氧化物/量子点体异质结；

4）在烘干后的片子上旋涂电子传输层，烘干即得电子传输层；

5）将制得的片子放在真空蒸镀箱中，蒸镀金属对电极。