[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201711014365.X | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109712897B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 孟津;朱文杰;陈郁青;张政铉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一钝化层，所述第一钝化层具有第一开口，在所述第一开口的底部形成有焊盘；对所述焊盘进行表面处理，以使所述焊盘形成粗糙表面；通过电镀形成铜柱，所述铜柱包括位于所述焊盘之上的部分和位于所述第一钝化层之上的部分；其中，所述铜柱位于所述焊盘之上的部分和位于所述第一钝化层之上的部分无高度差。该制作方法可以避免电镀形成的铜柱存在高度差，进而避免后续锡银回流时发生锡银从铜柱流下来导致形成变形的凸块的缺陷。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一钝化层，所述第一钝化层具有第一开口，在所述第一开口的底部形成有焊盘；对所述焊盘进行表面处理，以使所述焊盘形成粗糙表面；通过电镀形成铜柱，所述铜柱包括位于所述焊盘之上的部分和位于所述第一钝化层之上的部分；其中，所述铜柱位于所述焊盘之上的部分和位于所述第一钝化层之上的部分无高度差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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