[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、电子装置在审
| 申请号： | 201711013990.2 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109713043A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 胡迎宾;赵策;王东方;周斌;刘军;丁远奎;李伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、电子装置，该薄膜晶体管包括有源层、源极和漏极，有源层包括导体化区，导体化区设置于源极和漏极之间且与源极和漏极中的至少一个间隔设置。该导体化区可以用于改善有源层的界面性能，降低薄膜晶体管的沟道长度，提高了薄膜晶体管的开态电流，从而提高了薄膜晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 导体化 漏极 源层 源极 电子装置 阵列基板 电学性能 间隔设置 界面性能 开态电流 沟道 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括有源层、源极和漏极，其中，所述有源层包括导体化区，所述导体化区设置于所述源极和所述漏极之间且与所述源极和所述漏极中的至少一个间隔设置。
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