[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、电子装置

说明书

一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、电子装置，该薄膜晶体管包括有源层、源极和漏极，有源层包括导体化区，导体化区设置于源极和漏极之间且与源极和漏极中的至少一个间隔设置。该导体化区可以用于改善有源层的界面性能，降低薄膜晶体管的沟道长度，提高了薄膜晶体管的开态电流，从而提高了薄膜晶体管的电学性能。

技术领域

本发明的实施例涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、电子装置。

背景技术

有源矩阵(Active Matrix,AM)型显示器由于分辨率高、响应速度快、对比度高等诸多优点成为当今显示器件的主流产品，其包括有机发光二极管(Organic Light-emitting Diode,OLED)显示面板和液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)等。薄膜晶体管(Thin-film Transistor,TFT)是有源显示器件中的重要元件，其可以作为开关元件或驱动元件，其结构及制作工艺都极大地影响着显示器件的性能。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管，包括有源层、源极和漏极，所述有源层包括导体化区，所述导体化区设置于所述源极和所述漏极之间且与所述源极和所述漏极中的至少一个间隔设置。

例如，所述导体化区与所述源极和所述漏极均间隔设置。

例如，所述导体化区与所述源极直接连接，沟道区位于所述导体化区与所述漏极之间；或者，所述导体化区与所述漏极直接连接，沟道区位于所述导体化区与所述源极之间。

例如，所述导体化区在所述有源层的厚度方向贯穿所述有源层。

例如，所述薄膜晶体管为顶栅结构或者底栅结构。

例如，所述薄膜晶体管包括背沟道刻蚀结构，所述导体化区对应于背沟道刻蚀表面。

例如，所述有源层的材料为金属氧化物半导体材料、非晶硅材料或多晶硅材料。

例如，所述金属氧化物半导体材料包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化镓锌(GZO)。

本发明的实施例还提供一种阵列基板，包括上述薄膜晶体管。

本发明的实施例还提供一种电子装置，包括上述薄膜晶体管或阵列基板。

例如，所述电子装置为液晶显示装置、有机发光二极管显示装置或电子纸显示装置。

本发明的实施例还提供一种薄膜晶体管的制造方法，该方法包括：形成有源层、源极及漏极；对所述有源层的一部分进行导体化处理使其形成导体化区，所述导体化区形成于所述源极和所述漏极之间且与所述源极和所述漏极中的至少一个间隔设置。

例如，所述导体化处理包括：在所述有源层上方形成具有开口的掩膜层，所述开口暴露出所述有源层的至少部分，利用该掩膜层对所述有源层进行导体化处理。

例如，在形成所述有源层之后、形成所述掩膜层之前形成源漏电极层，对所述源漏电极层进行构图形成所述源极和所述漏极。

例如，所述导体化处理包括对所述有源层进行等离子体处理。

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管、其制造方法及电子装置，所述薄膜晶体管通过在所述薄膜晶体管的有源层位于源极和漏极之间的部分设置导体化区，改善了有源层的界面性能，并且降低了薄膜晶体管的沟道长度，从而提高了开态电流。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。

图1为本发明一实施例的薄膜晶体管的剖面结构示意图。